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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!
基本SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊，基本SiC模塊替代三菱IPM模塊，基本SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊！
使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT變流器，實(shí)現(xiàn)更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。

基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11，F(xiàn)F450R12KT4，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11，F(xiàn)F900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4

基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17

基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲(chǔ)系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復(fù)雜，頻率低，采用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡(jiǎn)單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。
針對(duì)新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。
B3M040120Z是BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。
BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊，BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?混合SiC-IGBT單管，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢(shì)場(chǎng)景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲(chǔ)能管理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲(chǔ)、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級(jí)互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對(duì)板、板對(duì)板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級(jí)充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級(jí)超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級(jí)密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國(guó)新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國(guó)網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲(chǔ)變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲(chǔ)，智能組串式儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時(shí)代！

公司檔案

公司名稱：	北京傾佳國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET有限公司	公司類型：	企業(yè)單位 (服務(wù)商)
所在地：	北京	公司規(guī)模：
注冊(cè)資本：	未填寫	注冊(cè)年份：	2018

資料認(rèn)證：

保證金：

已繳納 0.00 元

經(jīng)營(yíng)模式：

服務(wù)商

經(jīng)營(yíng)范圍：

銷售的產(chǎn)品：

采購(gòu)的產(chǎn)品：

主營(yíng)行業(yè)：

電工電氣

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北京傾佳國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET有限公司

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