AB變頻器驅(qū)動(dòng)板FS300R12KE3/AGDR-82C S

IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247 TO3P等封裝。
IGBT模塊：即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元+三相逆變
IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能（熱保護(hù)，過流保護(hù)等）的IGBT模塊。 
IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。IGBT基本結(jié)構(gòu)見圖1中的縱剖面圖及等效電路。 

FS300R12KE3/AGDR-61C
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