無錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等
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產(chǎn)品品牌上海瞻芯電子
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更新日期2024-08-20 16:49
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品牌： |
上海瞻芯電子 |
所在地： |
江蘇 無錫市 |
起訂： |
≥1 只 |
供貨總量： |
100000000 只 |
有效期至： |
長期有效 |
VDS： |
1200V |
RON： |
17mΩ |
品牌： |
瞻芯電子 |
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門驅(qū)動
·高阻塞電壓與低電阻
·高速開關(guān)與低電容
·高操作結(jié)溫度能力
·非常快速和健壯的內(nèi)在身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅(qū)動電路設(shè)計應(yīng)用
應(yīng)用
·電動電機(jī)驅(qū)動
·太陽能逆變器
·高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
·開關(guān)模式電源
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